|
|||||
|
|
| 2.5～10Gb/sHEMTIC全耗尽型光驱动电路中器件性能的研究 | |
| 作者姓名： | 高建军 袁志鹏 吴德馨 |
| 作者单位： | 中科院微电子中心,北京100029 |
| 摘 要： | 主要坑速光纤通信系统中调制器驱动电路ＨＥＭＴ ＩＣ设计开展研究。着重讨论了ＰＨＥＭＴ器件阈值电压、特征频率对外调制驱动电路特性的影响，给出了满足电路性能要求的器件参数范围；对２．５￣１０Ｇｂ／ｓ ＰＨＥＭＴ ＩＣ光驱动电路进行了计算机仿真，眼图模拟结果表明满足２．５￣１０Ｇｂ／ｓ高速光纤通信系统需要。 |
| 关 键 词： | HEMT器件 性能研究 光纤通信 调制器驱动电路 |
| 修稿时间： | : |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |