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| F-离子注入实现的AlGaN/GaN增强型HEMT器件特性的模型分析 | |
| 引用本文： | 张旻,张继华,杨传仁.F-离子注入实现的AlGaN/GaN增强型HEMT器件特性的模型分析[J].电子元器件应用,2011(9):21-23,26. |
| 作者姓名： | 张旻 张继华 杨传仁 |
| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室; |
| 摘 要： | 文中针对当前通过在AlGaN层进行F-离子注入这种实现AlGaN/GaN增强型HEMT器件的重要方法,建立其数值模型。对该方法F-起到对导电沟道的调制机理进行了分析解释,对该方法的实现过程中的关键F-离子注入量、注入深度分布的对宏观器件特性的影响进行数值分析,得到了具有指导意义的结果。为今后该方面的器件特性进一步研究提供了理论指导。 |
| 关 键 词： | F-注入 增强型HEMT 数值模拟 |
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