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| 微波功率GaAs MESFET的可靠性 | |
| 引用本文： | 张俊杰.微波功率GaAs MESFET的可靠性[J].电子产品可靠性与环境试验,1996(3):21-24. |
| 作者姓名： | 张俊杰 |
| 作者单位： | 电子部十三所 石家庄050051 |
| 摘 要： | 本文介绍了功率ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的必要失效模式和失效机理，主要失效模式有突然烧毁致命失效，缓慢退化失效，击穿低漏电大失效，内外引线和热集中失效，器件性能的不稳定和可逆漂移，主要失效机理有结构设计不合理，材料和工艺缺陷，栅结，欧姆接触和材料退化。静电损伤等，提出了改进功率ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴＳ可靠性的主要措施：全面质量管理，运用可靠性增长管理技术，合理的设计方案，先进的设备和工艺，优质的材料和 |
| 关 键 词： | 砷化镓 MESFET 微波功率器件 可靠性 |
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