| 吸附促进位错发射、运动以及裂纹扩展的分子动力学模拟 |
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| 引用本文： | 李忠吉,刘辉,高克玮,乔利杰,褚武扬. 吸附促进位错发射、运动以及裂纹扩展的分子动力学模拟[J]. 金属学报, 2001, 37(10): 1013-1017 |
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| 作者姓名： | 李忠吉 刘辉 高克玮 乔利杰 褚武扬 |
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| 作者单位： | 北京科技大学材料物理系, |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究规划资助项目G19990650 |
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| 摘 要： | 根据反演法获得的对势和EAM多体势计算了纯Al位错发射的临界应力强度因子KIe以及Griffith裂纹解理扩展的临界应力强度因子KIG.结果表明，用对势算出的值和断裂力学计算结果更相近，因此，用对势来研究吸附的影响是可行的，分子动力学模拟表明，Ga吸附在裂纹表面将使KIG=0.42MPa.√m降至KIG^*=0.32MPa.√m，这表明吸附使表面能γ降至γ^*(=0.58γ）.Ga吸附使KIe=0.31MPa.√m降至KIe^*=0.24MPa√m;Ga吸附使位错运动的临界分切应力从Tc=2.05MPa降至Tc^*=1.82MPa.这就表明，Ga吸附后能降低Al的表面能，从而促进位错发射和运动。
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| 关 键 词： | 分子动力学模拟 位错发射 裂纹解理 位错运动 铅 镓 吸附 |
| 文章编号： | 0412-1961(2001)10-1013-05 |
| 修稿时间： | 2001-05-15 |
MOLECULAR DYNAMICS SIMULATION OF ADSORP- TION-ENHANCED DISLOCATION EMISSION, MOTION AND CRACK PROPGATION |
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| LI Zhongji,LIU Hui,GAO Kewei,QIAO Lijie,CHU Wuyang. MOLECULAR DYNAMICS SIMULATION OF ADSORP- TION-ENHANCED DISLOCATION EMISSION, MOTION AND CRACK PROPGATION[J]. Acta Metallurgica Sinica, 2001, 37(10): 1013-1017 |
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| Authors: | LI Zhongji LIU Hui GAO Kewei QIAO Lijie CHU Wuyang |
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| Keywords: | molecular dynamic simulation (MDS) adsorption of Ga dislocation emission and motion (DSM) crack propagation |
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