| 超深亚微米P+栅PMOSFET中NBTI效应及其机理研究 |
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| 引用本文： | 郝跃,韩晓亮,刘红侠. 超深亚微米P+栅PMOSFET中NBTI效应及其机理研究[J]. 电子学报, 2003, 31(Z1): 2063-2065 |
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| 作者姓名： | 郝跃 韩晓亮 刘红侠 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所, 陕西, 西安, 710071 |
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| 基金项目： | 国家 8 63高科技VLSI重大专项基金，国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 本文深入研究了P+栅PMOSFET中的NBTI效应,首先通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化,基于这些实验结果提出了一种可能的NBTI效应发生机制:即由水分子参与的Si-SiO2界面处的电化学反应.最后从工艺的角度给出了减小和抑制NBTI效应的方法.
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| 关 键 词： | NBTI效应 PMOSFET 界面态 正氧化层固定电荷 |
| 文章编号： | 0372-2112(2003)12A-2063-03 |
| 收稿时间： | 2003-11-17 |
| 修稿时间： | 2003-11-17 |
The Study on NBTI Mechanism and Its Effect on P + Gate PMOSFET |
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| HAO Yue,HAN Xiao-liang,LIU Hong-xia. The Study on NBTI Mechanism and Its Effect on P + Gate PMOSFET[J]. Acta Electronica Sinica, 2003, 31(Z1): 2063-2065 |
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| Authors: | HAO Yue HAN Xiao-liang LIU Hong-xia |
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| Affiliation: | Microelectronics Inst. of Xidian University, Xian, Shaanxi 710071, China |
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| Abstract: | The influence of negative bias temperature instability(NBTI) on P polygate PMOSFET's was analyzed.The pre and post-stress degradation of device characteristics and key parameter was obtained from the NBTI stress experiments.Based on this experimental result,the electrochemical reaction which water act as a reactant is the main cause of NBTI mechanism.Lastly,some methods was brought up to suppress NBTI effects. |
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| Keywords: | NBTI effects PMOSFET interface trap fixed oxide positive charge |
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