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| 功率MOS管的设计与保护 | |
| 引用本文： | 唐兴刚,胡传菊,张紫乾.功率MOS管的设计与保护[J].集成电路通讯,2010(1):31-35. |
| 作者姓名： | 唐兴刚 胡传菊 张紫乾 |
| 作者单位： | 中国兵器工业第214研究所,蚌埠233042 |
| 摘 要： | 对功率MOS管和功率双极管的优缺点进行比较，介绍功率MOS管的安全工作区（SOA），重点分析了影响功率MOS管安全工作的原因以及为避免这些不利因素而采用的保护技术，对斜率控制、过温、过压、过流等保护措施进行了详细的说明。 |
| 关 键 词： | 功率MOS管 斜率控制 过温保护 过压保护 过流保护 芯片散热 驱动 |
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