| 量子限制效应对限制在多量子阱中受主束缚能的影响 |
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| 作者姓名： | 郑卫民 宋淑梅 吕英波 王爱芳 陶琳 |
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| 作者单位： | 山东大学威海分校应用物理系,威海 264209;山东大学威海分校应用物理系,威海 264209;山东大学威海分校应用物理系,威海 264209;山东大学威海分校应用物理系,威海 264209;山东大学威海分校应用物理系,威海 264209 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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山东省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 从实验和理论上,研究了量子限制效应对限制在GaAs/AIAs多量子阱中受主对重窄穴束缚能的影响.实验中所用的样品是通过分子束外延技术生长的一系列GaAs/AIAs多量子阱,量子阱宽度从3nm到20nm,并且在量子阱中央进行了浅受主铍(Be)原子的δ掺杂.在4,20,40,80和120K不同温度下,分别对上述系列样品进行了光致发光谱(PL)的测量,清楚地观察到了受主束缚激子从ls3/2(Г6)基态到同种宇称2s3/2(Г6)激发态的两空穴跃迁,并且从实验上测得了在不同量子阱宽度下受主的束缚能.理论上应用量子力学中的变分原理,数值计算了受主对重空穴束缚能随量子阱宽度的变化关系,比较发现理论计算和实验结果符合较好.
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| 关 键 词： | 量子限制效应 浅受主杂质 δ掺杂 GaAs/AlAs多量子阱 光致发光谱 |
| 文章编号： | 0253-4177（2008）02-0310-05 |
| 收稿时间： | 2007-08-02 |
| 修稿时间： | 2007-10-15 |
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