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| 高速BiCMOS工艺研究 | |
| 引用本文： | 许忠义,章定康.高速BiCMOS工艺研究[J].微电子学与计算机,1995,12(3):1-5. |
| 作者姓名： | 许忠义 章定康 |
| 作者单位： | 航天工业总公司西安微电子技术研究所 |
| 摘 要： | 研究开发了一种准２μｍ高速ＢｉＣＭＯＳ工艺，采用自对准双埋双阱及外延结构．外延层厚度为２．０～２．５μｍ，器件间采用多晶硅缓冲层局部氧化（简称ＰＢＬＯＣＯＳ）隔离，双极器件采用多晶硅发射极（简称ＰＳＥ）晶体管．利用此工艺已试制出ＢｉＣＭＯＳ２５级环振电路，在负载电容ＣＬ＝０．８ｐＦ条件下，平均门延迟时间ｔｐｄ＝０．８４ｎｓ，功耗为０．３５ｍＷ／门，驱动能力为０．６２ｎｓ／ｐＦ．明显优于ＣＭＯＳ门． |
| 关 键 词： | 高速，BiCMOS，PBLOCOS隔离，多晶硅发射极双极晶体管 |
High Speed BiCMOS Process Research |
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| Xu Zhongyi,Zhang Dingkang,Shen Wenzheng.High Speed BiCMOS Process Research[J].Microelectronics & Computer,1995,12(3):1-5. | |
| Authors: | Xu Zhongyi Zhang Dingkang Shen Wenzheng |
| Affiliation: | Xi' an Microelectronic Technology Inst. |
| Abstract: | |
| Keywords: | High speed BiCMOS Poly-Si buffer LOCOS Poly-Si emitter bipolar transistor |
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