| SIMOX技术的研究进展 |
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| 引用本文： | 林成鲁 李金华. SIMOX技术的研究进展[J]. 微电子学与计算机, 1995, 12(2): 6-9 |
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| 作者姓名： | 林成鲁 李金华 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所，江苏石油化工学院 |
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| 摘 要： | 注氧隔离的ＳＩＭＯＸ技术是获得ＳＯＩ材料的最先进的技术，本文讨论了ＳＩＭＯＸ技术的研究进展，比较了ＳＩＭＯＸ和ＳＩＭＮＩ两种材料的优缺点。
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| 关 键 词： | 离子注入，绝缘体上硅材料，注氧隔离，SIMNI |
Progress in SIMOX Technology |
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| Lin Chenglu,Zhou Zuyao,Lin Zixin. Progress in SIMOX Technology[J]. Microelectronics & Computer, 1995, 12(2): 6-9 |
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| Authors: | Lin Chenglu Zhou Zuyao Lin Zixin |
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| Abstract: | Separation by implantation of oxygen(SIMOX) is most advanced technology for achieving silicon-on insulator (SOI) material. This discusssion presents an overview of the progress of SIMOX technology. The strengths and weaknesses of the two materials SIMOX and SIMNI are considered. |
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| Keywords: | Ion implantation SOI material SIMOX SIMNI |
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