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| CMOS／SIMOX倒相器的抗总剂量辐照特性 | |
| 引用本文： | 竺士炀,李金华.CMOS／SIMOX倒相器的抗总剂量辐照特性[J].微电子学与计算机,1995,12(2):37-39,43. |
| 作者姓名： | 竺士炀 李金华 |
| 摘 要： | 对条栅ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ倒相器在不同偏置条件下进行了＾６０Ｃｏγ射线的总剂量辐照试验，比较研究了ＰＭＯＳ、ＮＭＯＳ对倒相器功能的影响，发现ＮＭＯＳ抗总剂量副照性能比ＰＭＯＳ差，主要是ＮＭＯＳ引起器件功能的失效。 |
| 关 键 词： | CMOS SIMOX 倒相器 总剂量辐照 |
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