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| N沟MOSFET／SIMOX的γ射线辐照特性 | |
| 引用本文： | 竺士炀,李金华.N沟MOSFET／SIMOX的γ射线辐照特性[J].微电子学与计算机,1995,12(2):40-43. |
| 作者姓名： | 竺士炀 李金华 |
| 作者单位： | 中科院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室，江苏石油化工学院功能材料实验室 |
| 摘 要： | 对用多次注入与退火技术制成的ＳＩＭＯＸ材料制备的Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ进行了＾６０Ｃｏγ射线累积剂量辐照试验，并同通常的体硅ＮＭＯＳ的辐照效应作了比较，分析了引起阈值电压漂移的两个因素：氧化层电荷和界面态电荷，提出了提高ＮＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ抗辐照性能的几点措施。 |
| 关 键 词： | 场效应晶体管 SIMOX γ射线辐照 |
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