N沟MOSFET/SIMOX的γ射线辐照特性 |
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作者姓名: | 竺士炀 李金华 |
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作者单位: | 中科院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,江苏石油化工学院功能材料实验室 |
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摘 要: | 对用多次注入与退火技术制成的SIMOX材料制备的N沟MOSFET进行了^60Coγ射线累积剂量辐照试验,并同通常的体硅NMOS的辐照效应作了比较,分析了引起阈值电压漂移的两个因素:氧化层电荷和界面态电荷,提出了提高NMOS/SIMOX抗辐照性能的几点措施。
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关 键 词: | 场效应晶体管 SIMOX γ射线辐照 |
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