| Al栅BESOI／CMOS器件的辐照特性 |
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| 引用本文： | 李金华,林成鲁,竺士炀.Al栅BESOI／CMOS器件的辐照特性[J].微电子学与计算机,1995,12(2):51-53. |
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| 作者姓名： | 李金华 林成鲁 竺士炀 |
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| 作者单位： | 江苏石油化工学院功能材料实验室，中科院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室 |
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| 摘 要： | 在表层硅厚度约６μｍＢＥＳＯＩ材料上，制备了Ａｌ栅ＣＭＯＳ器件。实验样品消除了纵向寄生结构和困扰ＳＯＩ薄膜器件的背沟效应、边缘效应、Ｋｉｎｋ效应。样品未作抗辐照工艺加固，γ累积辐辐照剂量已达３×１０５ｒａｄ（Ｓｉ）。实验表明，该结构埋层ＳｉＯ２的存在对器件的辐照性能影响不明显。
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| 关 键 词： | BESOI器件 CMOS器件 辐照 铝栅 |
Radiation Caracteristics of Aluminum Gate BESOI/CMOS Devices |
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| Li Jinhua.Radiation Caracteristics of Aluminum Gate BESOI/CMOS Devices[J].Microelectronics & Computer,1995,12(2):51-53. |
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| Authors: | Li Jinhua |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Radiation resistant BESOI Integrated circuit |
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