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| 使用金锡合金焊接微波功率GaAs MESFET管芯 | |
| 作者姓名： | 段淑兰 |
| 摘 要： | 微波功率GaAsMESFET的结构是在半绝缘砷化镓衬底上外延生长n型薄层砷化镓,然后在其上做源、漏欧姆接触和肖特基势垒栅.我们通过管芯侧面和背面金属化实现了大面积源接地.器件对管芯焊接工艺的基本要求是:(1)低温焊接;(2)导电导热性能良好;(3)可靠性高;(4)成品率高等等.我们曾经试用工艺比较成熟的银浆烧结(烧结温度是370℃),但是发现部分管芯特性变坏和焊接不牢、热阻大、串联电阻大以及工艺重复性差等问题.经过分析,我们认为高的导热率和高的电导率是 |
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