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微流控芯片透光性基底SU8曝光工艺
引用本文:朱学林,郭育华,刘刚,田扬超,褚家如.微流控芯片透光性基底SU8曝光工艺[J].功能材料与器件学报,2008,14(2):426-430.
作者姓名:朱学林  郭育华  刘刚  田扬超  褚家如
作者单位:中国科学技术大学精密机械仪器系,安徽合肥,230026;国家同步辐射实验室,安徽合肥,230026
基金项目:王宽诚教育基金 , 中国科学院知识创新工程项目
摘    要:研究了在透光性基底上直接光刻SU8光刻胶制作可实现光集成微流控芯片的工艺,讨论了基底厚度、透光性和样品承载台表面反射性等因素对透光性基底上SU8光刻图形质量的影响.研究结果表明,通过减少样品承载台表面对紫外光的反射,可有效的解决光刻胶内非定义曝光区域出现感光交联的问题.

关 键 词:微流控芯片  透光性基底  SU8光刻
文章编号:1007-4252(2008)02-0426-05
修稿时间:2007年7月20日

SU8 lithography process in fabrication of transparent microfluidic chips
ZHU Xue-lin,GUO Yu-hua,LIU Gang,TIAN Yang-chao,CHU Jia-ru.SU8 lithography process in fabrication of transparent microfluidic chips[J].Journal of Functional Materials and Devices,2008,14(2):426-430.
Authors:ZHU Xue-lin  GUO Yu-hua  LIU Gang  TIAN Yang-chao  CHU Jia-ru
Abstract:
Keywords:
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