| 基于电路拓扑的IGBT并联均流方法 |
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| 引用本文： | 张成,孙驰,马伟明,艾胜. 基于电路拓扑的IGBT并联均流方法[J]. 高电压技术, 2013, 39(2): 505-512 |
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| 作者姓名： | 张成 孙驰 马伟明 艾胜 |
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| 作者单位： | 1. 华中科技大学电气与电子工程学院,武汉,430074
2. 海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室,武汉,430033 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(50737004ZD;51177170)~~ |
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| 摘 要： | 随着市场对大功率电力电子变流器需求的与日俱增,绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar tran-sistors,IGBT)的并联技术已成为大功率设计应用的解决方案之一。针对现有的一些解决IGBT并联均流措施存在的问题,在详细分析外加电感对动静态均流影响的基础上,提出了一种基于电路拓扑的两电平电路中的IGBT并联均流方法,该方法需要添加1个额外的直流侧二极管和2个μH级的电感,降低了开关的开通损耗,不需要设置死区,且短路保护实现容易。同时,针对该方法带来的IGBT关断过电压第2尖峰抬高的问题,提出了一种改进的电路拓扑结构,利用额外的电容-二极管-电容(CDC)网络来解决IGBT关断过电压的第2尖峰抬高的问题。试验结果表明了该种方法的正确性、有效性和可行性,为大功率电力电子变流器的扩容提供了较理想的选择方案。
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| 关 键 词： | 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 并联均流 动态均流 静态均流 电路拓扑 试验验证 |
Paralleling Current Sharing Method of Parallel IGBTs Based on Circuit Topology |
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| ZHANG Cheng , SUN Chi , MA Weiming , AI Sheng. Paralleling Current Sharing Method of Parallel IGBTs Based on Circuit Topology[J]. High Voltage Engineering, 2013, 39(2): 505-512 |
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| Authors: | ZHANG Cheng SUN Chi MA Weiming AI Sheng |
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| Affiliation: | 1.College of Electrical and Electronic Engineering,Huazhong University of Science and Technology,Wuhan 430074,China;2.National Key Laboratory for Vessel Integrated Power System Technology,Naval University of Engineering,Wuhan 430033,China) |
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