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红外热像法无损分析硅片直接键合界面的键合强度
作者姓名:王海军 钱照明
作者单位:浙江大学电力电子技术研究所
摘    要:提出了用红外热像无损检测SDB界面空洞和定量检测界面键合强度的方法,并与破坏性粒拉力实验和喷砂造型法对照,证明了该方法的可行性。

关 键 词:红外热象 无损检测 硅片 键合强度 直接键合
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