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| 深亚微米大容量PROM芯片ESD保护技术 | |
| 引用本文： | 裴国旭. 深亚微米大容量PROM芯片ESD保护技术[J]. 电子器件, 2014, 37(4) |
| 作者姓名： | 裴国旭 |
| 作者单位： | 深圳市国微电子股份有限公司; |
| 摘 要： | 从全芯片角度出发,采用多电源ESD架构和全芯片ESD设计,对整颗芯片提供全方位的ESD保护,介绍了基于0.18μm CMOS工艺设计的大容量PROM芯片的ESD设计技术。同时,通过对高压编程引脚的ESD加固设计,提高了芯片的整体抗ESD能力。最终产品ESD测试满足项目要求。 |
| 关 键 词： | 静电放电(ESD) 可编程只读存储器(PROM) 全芯片 |
ESD Protection Technology for Deep Submicron Mass PROM IC |
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| Abstract: | |
| Keywords: | electro-static discharge (ESD) Programmable Read-Only Memory (PROM) whole-chip |
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