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2.4GHz SiGe HBT E类高功率放大器
引用本文:尤云霞,陈岚,王海永,吴玉平,吕志强. 2.4GHz SiGe HBT E类高功率放大器[J]. 电子器件, 2014, 37(2)
作者姓名:尤云霞  陈岚  王海永  吴玉平  吕志强
作者单位:中国科学院微电子研究所;
基金项目:国家科技重大专项课题项目(2009ZX02303-04)
摘    要:针对无线通信飞速发展对高功率和高效率功率放大器的需求,提出了一种Cascode结构的2.4 GHz E类高功率放大器。它采用单端接地和单级放大的电路形式。基于国内新研制的0.18μm SiGe BiCMOS工艺,实现了片内全集成,包括输入与输出匹配网络,具有结构简单、高集成度等特点。同时,考虑了器件的击穿电压,高电流下的电迁移和高功率的稳定性等问题,并进行了优化设计。结果表明,在10 V电源电压时,放大器的输出功率高达30 dBm,效率PAE为39.69%,最大功率增益达14 dB。

关 键 词:功率放大器  E类  Cascode结构  功率器件

2.4GHz SiGe HBT CLASS E HIGH POWER AMPLIFIER
Abstract:
Keywords:Power amplifier   Class E   Cascode configuration   Power device
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