界面对TbFeCo薄膜磁畴的形成和移动的影响 |
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作者姓名: | 胡作启 李佐宜 |
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作者单位: | 华中理工大学固体电子学系 |
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摘 要: | 本文用振动样品磁强计和磁光克尔回线测试仪研究了非晶TbFeCo薄膜和AIN薄膜之间的界面对非晶TbFeCo薄膜磁畴的形成和移动的影响,得出结论:AIN薄膜的表面粗糙程度对非晶TbFeCo薄膜的磁和磁光性能有影响。当表面光滑时,非晶TbFeCo薄膜的磁滞回线和磁光克尔回线的矩形比高,这是由于磁畴的成核和移动与界面粗糙性质紧密相关的结果。
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关 键 词: | 界面 薄膜 磁畴 FbFeCo |
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