| 3C-SiC各向异性行为的原位纳米划痕研究（英文） |
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| 作者姓名： | 黄俊全 陈宇君 王冲 李鹏辉 仝柯 康梦克 靳天野 胡文涛 陈俊云 马梦冬 徐波 聂安民 田永君 |
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| 作者单位： | Center for High Pressure Science (CHiPS), State Key Laboratory of Metastable Materials Science and Technology, Yanshan University |
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| 基金项目： | supported by the Natural Science Foundation of Hebei Province of China (E2020203085 and E2022203109)；;the National Natural Science Foundation of China (52090022 and52288102)； |
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| 摘 要： | 立方碳化硅(3C-SiC)是一种在极端条件下具有优异机械和物理性能的理想材料.然而,由于其生长深度有限且脆性较高,研究其材料去除和摩擦性能具有一定的挑战性.在本研究中,我们使用扫描电子显微镜对厚度约为20μm的3C-SiC单晶进行了原位纳米划痕研究,并观察了其各向异性行为.随后在(100)平面上沿110]和100]方向分别进行了纳米划痕实验.与100]方向相比,110]方向在划痕过程中表现出更高的硬度,导致材料去除率较低和摩擦系数较高.通过对划痕沟槽的原子级分辨观察,我们发现3C-SiC的塑性去除是通过位错滑移和显著的晶格畸变实现的.在塑性变形阶段,两个划痕方向的亚表面主要经历了全位错滑移.此外,强烈的应变导致了多晶化,这是3C-SiC中的一个重要变形机制.
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