| 高质量的AlGaN外延结构和UVC垂直腔面发射激光器的实现（英文） |
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| 作者姓名： | 郑重明 王玉坤 胡建正 郭世平 梅洋 龙浩 应磊莹 郑志威 张保平 |
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| 作者单位： | 1. Department of Electronic Engineering,Optoelectronics Engineering Research Center,School of Electronic Science and Engineering (National Model Microelectronics College),Xiamen University;2. Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. |
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| 基金项目： | supported by the National Key Research and Development Program of China (2017YFE0131500)；;the National Natural Science Foundation of China (62104204 and U21A20493)； |
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| 摘 要： | AlGaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)因其优越的材料性质和器件优点吸引了很多关注.然而,由于材料外延生长和器件制备工艺的局限,AlGaN基VCSEL制备很困难.本工作通过侧向外延生长技术制备了高质量的AlGaN多量子阱(MQWs)结构的外延片,并通过X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)实验对外延片进行了分析.XRD测量显示,外延片中的AlN模板层几乎是弛豫的,刃位错密度为109 cm-2.随后,生长的AlGaN/AlN超晶格(SL)层被用来减少刃位错密度,使得量子阱中的位错密度为108 cm-2.根据PL测试结果,MQWs的内量子效率(IQE)为62%,且在室温下的发光以辐射复合为主.通过激光剥离(LLO)和化学机械抛光(CMP)技术,将这些外延片制备成UVC VCSEL.经过这些工艺,MQWs的晶体质量没有受到影响,还在抛光之后的表面观察到了UVC波段的受激辐射.这些AlGaN基UVC VCSEL在275.91,276.28和277.64 nm实现了激射,最小激射阈值为0.79 MW cm...
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