| 高电容性能MXene电极对插层修饰离子的选择性（英文） |
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| 作者姓名： | 胡敏敏 代君 陈丽红 孟阿兰 王磊 李桂村 谢海姣 李镇江 |
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| 作者单位： | 1. School of Materials Science and Engineering, Qingdao University of Science and Technology;2. College of Electromechanical Engineering, Qingdao University of Science and Technology;3. State Key Laboratory Base of Eco-chemical Engineering, College of Chemistry and Molecular Engineering, Qingdao University of Science and Technology;4. Hangzhou Yanqu Information Technology Co., Ltd. |
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| 基金项目： | financially supported by the National Natural Science Foundation of China (52072196, 52002199, 52002200, and 52102106)；;the Major Basic Research Program of Natural Science Foundation of Shandong Province (ZR2020ZD09)；;the Natural Science Foundation of Shandong Province (ZR2019BEM042 and ZR2020QE063)；;the Postdoctoral Innovation Project of Shandong Province (202101020)； |
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| 摘 要： | 离子插层是提高Ti3C2Tx MXene电化学性能的有效方法之一.然而,不同的插层离子对MXene的结构和电化学性能的影响是否相同这一问题尚不清楚.本文系统研究了Li+、Na+、K+、Cs+、Zn2+、Mg2+、SO42-和OH-等一系列离子插层后的MXene的结构特征和电化学性能.研究结果表明,插层离子的半径、电荷数和化学特性对插层效果都会产生影响.在所研究的插层剂中,由离子半径最大的一价阳离子Cs+和具有强碱性的阴离子OH-组成的插层剂CsOH对MXene具有较好的插层效果.插层后的MXene层间距增大,层间容纳了大量游离水,Ti的价态升高,片层表面有利于氧化还原反应的含O官能团增多,这都大大促进了电解液离子H+的扩散与存储.由此制备的电极的质量比电容大幅度...
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