| SnO2修饰MoS2薄膜的n-p可调室温氢气响应及其原位SKPM研究(英文) |
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| 作者姓名： | 谈论 刘贤朕 杨飘云 李炜 杨伟佳 李昂 顾豪爽 王钊 |
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| 作者单位： | 2. Institute of Microstructure and Properties of Advanced Materials, Beijing University of Technology;3. College of Physics and Electromechanical Engineering, Hubei University of Education |
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| 基金项目： | financially supported by the National Natural Science Foundation of China (NSFC,U21A20500, 52072115, and 51972102)；;the Natural Science Project of Hubei Province in China(2023AFB758 and 2022CFB518)； |
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| 摘 要： | 研发高性能氢气传感器对氢能及相关产业发展具有重要意义.2D-MoS2纳米材料在构建快速可靠的室温氢气传感器方面优势显著,但灵敏度和选择性较差.本文报导了具有n-p可调型氢敏响应行为的SnO2修饰MoS2薄膜,其原位SKPM研究表明SnO2(0.38 eV)和MoS2(0.26 eV)在氢敏响应中会出现不同的表面电势变化,使其界面势垒随SnO2覆盖率的增加而改变,从而使界面效应对体系n型氢敏响应的积极贡献转变为负面补偿.当SnO2覆盖率为6.4%时,传感器具有增敏、提速且选择性好的n型氢敏响应,当其提高至95.6%时呈现p型响应.这种随结构n-p可调的氢敏响应既能用于传感层的敏感性能调节,还可为MoS2基二维材料的气敏响应类型调控提供简单易行、成本低廉的方法.
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