| 超薄金属性MoO2纳米片可控合成及其范德华接触应用研究(英文) |
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| 作者姓名： | 方丽针 刘华伟 管雯 郑弼元 梁洁园 王庭浩 朱小莉 李思宇 李东 潘安练 |
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| 作者单位： | Key Laboratory for Micro-Nano Physics and Technology of Hunan Province, Hunan Institute of Optoelectronic Integration, State Key Laboratory of Chemo/Biosensing and Chemometrics, College of Materials Science and Engineering, Hunan University |
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| 基金项目： | supported by the National Key R&D Program of China (2022YFA1402501)；;the National Natural Science Foundation of China (51902098, 51972105, U19A2090, U22A20138, 62090035, and 12104144)；;the Natural Science Foundation of Hunan Province (2021JJ30132 and 2021JJ20016)；;China Postdoctoral Science Foundation (BX2021094, 2020M680112, and 2021M690953)； |
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| 摘 要： | 在二维半导体与金属材料间引入范德华接触构建器件被认为是解决二维材料电接触问题的有效途径之一.然而,迄今为止,研究主要集中在半导体材料合成与改性上,而对金属材料的制备和性能的研究较少.在这项工作中,我们报道了利用化学气相沉积法可控合成厚度从3.5到106 nm的层状MoO2金属二维纳米片.利用X射线衍射、扫描隧道显微镜和透射电子显微镜对制备的MoO2纳米片进行了系统表征,结果表明,制备的MoO2为单斜晶型、晶质质量高、稳定性好.电学表征表明, MoO2具有优良的导电性能,其导电率超过106S m-1,可与石墨烯和某些金属相媲美.此外,我们还通过引入MoO2薄片作为范德华接触材料,探索了其在MoS2场效应晶体管中的接触应用.所获得的MoS2场效应晶体管表现出低肖特基势垒(3 6 m e V)和高载流子迁移率(210 cm2V-1s-1
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