|
|||||
|
|
| 亚0.1μm栅长CMOS器件和电路的研制 | |
| 引用本文： | 刘文安,黄如,张兴. 亚0.1μm栅长CMOS器件和电路的研制[J]. 半导体学报, 2004, 25(5): 583-588 |
| 作者姓名： | 刘文安 黄如 张兴 |
| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所 北京100871(刘文安，黄如)，北京大学微电子学研究所 北京100871(张兴) |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) , 国家自然科学基金 |
| 摘 要： | 利用侧墙图形转移实现亚 0 .1μm栅线条 ,重掺杂多晶硅做固相扩散源实现 CMOS晶体管超浅源漏扩展区 ,并且将二者有机结合起来 ,成功实现了栅长约为 84 .6 nm的 CMOS器件和电路 .报道了利用重掺杂多晶硅固相扩散同时实现 CMOS源漏扩展区的方法 . |
| 关 键 词： | 侧墙图形转移技术 固相扩散 源漏扩展区 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)05-0583-06 |
| 修稿时间： | 2003-05-14 |
Development of CMOS Devices and Circuits with Sub-0.1μm Gate Length |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | spacer pattern shift technology solid phase diffusion source and drain extension |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |