| IGBT栅极驱动电阻的选择 |
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| 引用本文： | 韩朋乐,方淼,刘寅,徐张英,吴珊.IGBT栅极驱动电阻的选择[J].电源技术,2015,39(7). |
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| 作者姓名： | 韩朋乐 方淼 刘寅 徐张英 吴珊 |
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| 作者单位： | 1. 国家知识产权局专利局专利审查协作河南中心,河南郑州450001;中国电子科技集团公司第36研究所,浙江嘉兴314001
2. 中国电子科技集团公司第36研究所,浙江嘉兴,314001 |
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| 摘 要： | 栅极电阻对IGBT的动态特性有很大的影响。对栅极驱动电阻的选择进行了探讨,分析了栅极电阻选择不当可能引起的几种问题,并给出了选择办法。
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| 关 键 词： | 栅极电阻 IGBT 动态特性 |
IGBT gate drive resisitor selection |
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| HAN Peng-le,FANG Miao,LIU Yin,XU Zhang-ying,WU Shan.IGBT gate drive resisitor selection[J].Chinese Journal of Power Sources,2015,39(7). |
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| Authors: | HAN Peng-le FANG Miao LIU Yin XU Zhang-ying WU Shan |
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| Keywords: | gate drive resistor IGBT dynamic characteristic |
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