| 纳米硅异质结二极管 |
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| 引用本文： | 何宇亮,王因生,桂德成,陈堂胜,顾晓春. 纳米硅异质结二极管[J]. 固体电子学研究与进展, 2000, 20(1): 34-39 |
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| 作者姓名： | 何宇亮 王因生 桂德成 陈堂胜 顾晓春 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系!210093(何宇亮)，南京电子器件研究所!210016(王因生，桂德成，陈堂胜，顾晓春) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助!( 5982 0 0 0 7) |
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| 摘 要： | 在 p型单晶硅衬底上沉积一层掺磷 N+ 型纳米硅薄膜 ,形成 nc- Si∶ H/ c- Si构成的 N+ / p异质结构。文中报道了它的独特性能 :其反向击穿电压可达 75V,反向漏电流仅 n A量级 ,反向开关时间为 1.5ns,可望应用于微波波段。由其 I- V及 C- V特性初步分析了结的性质及电输运机制。
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| 关 键 词： | 纳米硅 异质结 二极管 |
The Nanocrystalline Silicon Heterojunction Diodes |
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| He Yuliang. The Nanocrystalline Silicon Heterojunction Diodes[J]. Research & Progress of Solid State Electronics, 2000, 20(1): 34-39 |
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| Authors: | He Yuliang |
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| Abstract: | A N +/p heterojunction diodes with nc Si∶H/c Si structure were made by phosphorus doped hydrogenated nano crystalline silicon films deposited on p type c Si substrates.In this paper we report the unique properties of this heterojunction diode for the first time.Such as,the off/on time in the microwave band Tr is about 1.5 ns,the reverse breakdown voltage may reaches 75 V and reverse lea kage current is in the range of nA order.This unique features reflecte the novel properties of nc Si∶H films. |
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| Keywords: | nano crystalline silicon heterojunction diodes |
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