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| 193nm光刻技术进展和问题 | |
| 引用本文： | 吴桂英.193nm光刻技术进展和问题[J].光机电信息,1998,15(1):1-3. |
| 作者姓名： | 吴桂英 |
| 摘 要： | 光刻是制造大规模集成电路的主要方法。由于快速计算机和多功能处理器不断发展,并提出很多新的要求,促使半导体集成线路制造商力求增加单片上的元件密度。元件密度受最小光刻尺寸限制。虽然光刻工艺水平已能刻出准波长特征尺寸的集成线路的线宽,但是,连续发展几代的单片集成线路要求光源波长从436nm到365nm。用248nm波长光源(KrF准分子激光器).光刻的特征尺寸为0.25μm。期望能生产0.18μm特征尺寸的集成线路。为了生 |
| 关 键 词： | 光刻 集成电路 材料 综述 工艺 计量 |
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