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| 低温生长AlGaAs／GaAs多量子阱中的超快过程研究 | |
| 引用本文： | 李春勇,傅盘铭,汪力,张治国,魏彦锋,赵士平,杨乾声,韩英军,郭丽伟,黄绮.低温生长AlGaAs／GaAs多量子阱中的超快过程研究[J].量子电子学报,2004,21(1):119-120. |
| 作者姓名： | 李春勇 傅盘铭 汪力 张治国 魏彦锋 赵士平 杨乾声 韩英军 郭丽伟 黄绮 |
| 作者单位： | [1]中国科学院物理研究所光物理重点实验室，北京100080 [2]中国科学院物理研究所极端条件物理重点实验室，北京100080 [3]中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室，北京100080 |
| 摘 要： | 半导体材料无论在应用领域，还是在基础研究中都有重要的意义，对其中超快过程的研究近年来已成为研究的热点之一．低温生长的AlGaAs／GaAs多量子阱材料具有超短的非平衡载流子复合寿命，广泛应用于超快光学元件中．我们利用飞秒激光泵浦一探测技术对其中的超快过程进行了研究。 |
| 关 键 词： | 低温生长 AlGaAs／GaAs多量子阱 超快过程 飞秒激光泵浦 |
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