短沟道NMOS大规模集成电路的实验研究

本文分析了短沟道 NMOS 器件的特点,比较了在多种假设条件下导出的短沟道 NMOS 器件的 V_T 模型。在此基础上,着重介绍了遵循按比例缩小的 HMOS 电路设计原则,采用常规的 NMOS 电路生产设备和加以改进的常规NMOS 工艺条件,研制成功了具有4μ线宽结构的,已用于整机组装的两种DJS-061微型计算机分片电路:数据总线缓冲器 Bl 和外部通用接口适配器 PIA-A。与常规工艺比较,芯片面积缩小1倍多,而集成度可增加1倍以上。为获得4μ线宽,在工艺上我们作了以下几个方面的探索:①用正性胶进行细线条光刻;②采用盐酸清洗法和掺氯氧化相结合的优质氧化工艺;③对 Si_3N_4,Poly-S_1,Al 进行干法腐蚀;④除场区注入以外,还对沟道区进行 B~ 注入。