| L波段0.9 mW CMOS LNA的分析与设计 |
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| 引用本文： | 康成斌,杜占坤,阎跃鹏.L波段0.9 mW CMOS LNA的分析与设计[J].半导体技术,2010,35(10):1003-1006. |
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| 作者姓名： | 康成斌 杜占坤 阎跃鹏 |
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| 作者单位： | 中国科学院,微电子研究所,北京,100029;中国科学院,微电子研究所,北京,100029;中国科学院,微电子研究所,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目 |
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| 摘 要： | 给出了一种采用Γ型输入匹配网络的源简并共源低噪声放大器电路结构,分析了在低功耗情况下,高频寄生效应对低噪声放大器(LNA)输入阻抗及噪声特性的影响,并采用此结构设计了一款工作于L渡段的低功耗低噪声放大器.采用CMOS 0.18μm工艺,设计了完整的ESD保护电路,并进行了QFN封装.测试结果表明.在1.57 GHz工作频率下,该低噪声放大器的输入回波损耗小于-30 dB,输出回波损耗小于-14 dB,增益为15.5 dB,噪声系数(NF)为2.4 dB,输入三阶交调点(IIP3)约为-8 dBm.当工作电压为1.5 V时,功耗仅为0.9 mW.
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| 关 键 词： | 低噪声放大器 低功耗 阻抗匹配 互补型金属氧化物半导体 寄生效应 |
Analysis and Design of L-Band 0.9 mW CMOS LNA |
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| Kang Chengbin,Du Zhankun,Yan Yuepeng.Analysis and Design of L-Band 0.9 mW CMOS LNA[J].Semiconductor Technology,2010,35(10):1003-1006. |
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| Authors: | Kang Chengbin Du Zhankun Yan Yuepeng |
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| Affiliation: | Kang Chengbin,Du Zhankun,Yan Yuepeng(Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | low noise amplifier(LNA) low power consumption impedance matching CMOS parasitical effects |
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