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| 基于0.18 μm RF CMOS工艺的低相噪宽带LC VCO设计 | |
| 作者姓名： | 张俊波 周玉洁 |
| 作者单位： | 上海交通大学,电子工程系,上海,200240;上海交通大学,电子工程系,上海,200240 |
| 摘 要： | 介绍了一种低功耗、低相噪和超宽频率覆盖范围的全差分电感电容结构的压控振荡器(VCO)设计.采用开关控制的二进制MIM电容阵列对频率进行粗调,再结合MOS可变电容进行微调,实现了极大的频率覆盖范围.流片采用TSMC的0.18μm、5层金属RF CMOS工艺,所用无源器件全部片内集成.在1.8 V电源供电情况下,该VCO仅仅消耗3 mA的电流.测试结果表明,该VCO能够覆盖1.65～2.45 GHz的频率范围,并且增益控制在100 MHz/V以下.在1.65 GHz频率下20 kHz频偏处的相位噪声仅-87.88 dBc/Hz. |
| 关 键 词： | 压控振荡器 射频互补型金属氧化物晶体管 相位噪声 金属氧化物晶体管可变电容 |
| 文章编号： | 1003-353X(2008)04-0356-04 |
| 修稿时间： | 2007-11-06 |
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