| 低硅钢熔融盐电化学方法渗硅 |
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| 引用本文： | 杨海丽,李运刚,张玉柱,唐国章,崔崇. 低硅钢熔融盐电化学方法渗硅[J]. 电镀与精饰, 2010, 32(5) |
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| 作者姓名： | 杨海丽 李运刚 张玉柱 唐国章 崔崇 |
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| 作者单位： | 河北理工大学,冶金与能源学院,河北省现代冶金技术重点试验室,河北,唐山063009;燕山大学,材料科学与工程学院,河北,秦皇岛066004;河北理工大学,冶金与能源学院,河北省现代冶金技术重点试验室,河北,唐山063009 |
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| 摘 要： | 采用对称-单纯形法对电沉积渗硅熔融盐配方进行了优化设计。设计结果表明,通过计算得到的渗层厚度与熔融盐成分之间的回归方程具有明显的显著性,选择出最佳配方为n(NaCl)∶n(KCl)∶n(NaF)∶n(SiO2)=1∶1∶3∶0.3,用此配方在低硅钢基体上获得了34.51μm渗硅层,实验值与预测值基本吻合。辉光放电光谱仪测定出渗硅层中Si元素呈梯度分布,渗硅层与基体结合良好,光学金相照片显示渗硅层厚度均匀。
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| 关 键 词： | 配方优化 对称-单纯形设计 渗硅层 |
The Formula Optimization of Molten Salts for Electrodeposition Siliconizing |
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| YANG Hai-li,LI Yun-gang,ZHANG Yu-zhu,TANG Guo-zhang,CUI Chong. The Formula Optimization of Molten Salts for Electrodeposition Siliconizing[J]. Plating & Finishing, 2010, 32(5) |
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| Authors: | YANG Hai-li LI Yun-gang ZHANG Yu-zhu TANG Guo-zhang CUI Chong |
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| Affiliation: | YANG Hai-li1,2,LI Yun-gang1,ZHANG Yu-zhu1,TANG Guo-zhang1,CUI Chong1 (1.Hebei key Laboratory of Modern Metallurgy Technology,College of Metallurgy and Energy,Hebei Polytechnic University,Tangshan 063009,China,2.College of Materials Science and Engineering,Yanshan University,Qinhuangdao 066004,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | formula optimization symmetry-simplex design siliconized layer |
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