| 屏蔽槽SOI高压器件新结构和耐压机理 |
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| 引用本文： | 罗小蓉,李肇基,张波,郭宇锋,唐新伟. 屏蔽槽SOI高压器件新结构和耐压机理[J]. 半导体学报, 2005, 26(11): 2154-2158 |
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| 作者姓名： | 罗小蓉 李肇基 张波 郭宇锋 唐新伟 |
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| 作者单位： | 电子科技大学IC设计中心，成都 610054;电子科技大学IC设计中心，成都 610055;电子科技大学IC设计中心，成都 610056;电子科技大学IC设计中心，成都 610057;电子科技大学IC设计中心，成都 610058 |
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| 摘 要： | 提出具有屏蔽槽的SOI高压器件新结构和自适应界面电荷耐压模型.该结构在屏蔽槽内产生跟随漏极电压变化的界面电荷,此电荷使埋层介质的纵向电场增加,同时使顶层硅的纵向电场降低,并对表面电场进行调制,因此屏蔽了高电场对顶层硅的影响.借助二维器件仿真研究器件耐压和电场分布与结构参数的关系.结果表明,该结构使埋氧层的电场从传统的3Es升高到近600V/μm,突破了传统SOI器件埋氧层的耐压值,大大提高了SOI器件的击穿电压.
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| 关 键 词： | 屏蔽槽 自适应界面电荷 调制 纵向电场 击穿电压EEACC:2560B 2560P 屏蔽槽 高压器件 结构参数 耐压机理 Trench High Voltage Device Mechanism Breakdown 击穿电压 耐压值 埋氧层 结果 关系 分布 高电场 器件耐压 仿真研究 影响 调制 表面电场 |
| 文章编号： | 0253-4177（2005）11-2154-05 |
| 收稿时间： | 2005-04-08 |
| 修稿时间： | 2005-06-03 |
A Novel Structure and Its Breakdown Mechanism of a SOI High Voltage Device with a Shielding Trench |
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| Luo Xiaorong,Li Zhaoji,Zhang Bo,Guo Yufeng and Tang Xinwei. A Novel Structure and Its Breakdown Mechanism of a SOI High Voltage Device with a Shielding Trench[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(11): 2154-2158 |
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| Authors: | Luo Xiaorong Li Zhaoji Zhang Bo Guo Yufeng Tang Xinwei |
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| Affiliation: | IC Design Center,University of Electronic Science & Technology,Chengdu 610054,China;IC Design Center,University of Electronic Science & Technology,Chengdu 610055,China;IC Design Center,University of Electronic Science & Technology,Chengdu 610056,China;IC Design Center,University of Electronic Science & Technology,Chengdu 610057,China;IC Design Center,University of Electronic Science & Technology,Chengdu 610058,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | shielding trench self-adapted interface charge modulate vertical electric field breakdown voltage |
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