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| 用微波等离子体CVD制备C3N4薄膜 | |
| 引用本文： | 张永平,顾有松,常香荣,田中卓,时东霞,张秀芳,袁磊. 用微波等离子体CVD制备C3N4薄膜[J]. 材料研究学报, 2000, 14(3): 311-314 |
| 作者姓名： | 张永平 顾有松 常香荣 田中卓 时东霞 张秀芳 袁磊 |
| 作者单位： | 1. 北京科技大学;中国科学院北京真空物理实验室 2. 北京科技大学 3. 中国科学院北京真空物理实验室 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;19674009; |
| 摘 要： | 采用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ），使用高纯Ｎ２（９９．９９９％）和ＣＨ４（９９．９％）作反应气体，在多晶Ｐｔ（９９．９９％）基片上沉积Ｃ３Ｎ４薄膜。Ｘ射线能谱（ＥＤＸ）分析结果表明Ｎ／Ｃ原子比为１．０～１．４，接近Ｃ３Ｎ４的化学比；Ｘ射线衍射谱（ＸＲＤ）说明薄膜主要由β－和α－Ｃ３Ｎ４组成；Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）、傅立叶变换红外谱（ＦＴ－ＩＲ）和喇曼（Ｒａｍａｎ）谱说明在Ｃ３Ｎ４薄膜 |
| 关 键 词： | 微波等离子体 化学气相沉积 β－C3N4 薄膜 制备 |
| 文章编号： | 1005-3093(2000)03-0311-04 |
| 修稿时间： | 1999-12-17 |
C3N4 THIN FILMS PREPARED BY MICROWAVE PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION |
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| ZHANG Yongping,GU Yousong,CHANG Xiangrong,TIAN Zhongzhuo,SHI Dongxia,ZHANG Xiufang,YUAN Lei. C3N4 THIN FILMS PREPARED BY MICROWAVE PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION[J]. Chinese Journal of Materials Research, 2000, 14(3): 311-314 | |
| Authors: | ZHANG Yongping GU Yousong CHANG Xiangrong TIAN Zhongzhuo SHI Dongxia ZHANG Xiufang YUAN Lei |
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