| 高压MOS晶体管双峰衬底电流分析及优化 |
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| 引用本文： | 王俊,董业民,邹欣,邵丽,李文军,杨华岳.高压MOS晶体管双峰衬底电流分析及优化[J].半导体技术,2008,33(4):316-319. |
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| 作者姓名： | 王俊 董业民 邹欣 邵丽 李文军 杨华岳 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;中国科学院,研究生院,北京,100049;上海宏力半导体制造有限公司,上海,201203
2. 上海宏力半导体制造有限公司,上海,201203 |
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| 摘 要： | 利用0.15 μm标准CMOS工艺制造出了工作电压为30 V的双扩散漏端MOS晶体管.观察到DDDMOS的衬底电流-栅压曲线有两个峰.实验表明,DDDMOS衬底电流的第二个峰对器件的可靠性有一定的影响.利用TCAD模拟解释了DDDMOS第二个衬底电流峰的形成机制,并通过求解泊松方程和电流连续性方程分析了器件的物理和几何参数与第二个衬底电流峰之间的关系.根据分析的结果优化了制造工艺,降低了DDDMOS的衬底电流,提高了器件的可靠性.
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| 关 键 词： | 高压器件 衬底电流 优化工艺 |
| 文章编号： | 1003-353X(2008)04-0316-04 |
| 修稿时间： | 2007年12月4日 |
Analysis and Optimization for the Double-Hump Substrate Current of High-Voltage MOS Transistors |
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| Wang Jun,Dong Yemin,Zou Xin,Shao Li,Li Wenjun,Yang Huayue.Analysis and Optimization for the Double-Hump Substrate Current of High-Voltage MOS Transistors[J].Semiconductor Technology,2008,33(4):316-319. |
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| Authors: | Wang Jun Dong Yemin Zou Xin Shao Li Li Wenjun Yang Huayue |
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| Affiliation: | Wang Jun1,2,3,Dong Yemin3,Zou Xin3,Shao Li3,Li Wenjun3,Yang Huayue3(1.Shanghai Institute of Microsystem , Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China,2.Graduate School of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,3.Grace Semiconductor Manufacturing Corporation,Shanghai 201203,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | high-voltage device substrate current process optimization |
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