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| 高质量GaN材料的GSMBE生长 | |
| 作者姓名： | 王晓亮 孙殿照 孔梅影 张剑平 付荣辉 朱世荣 曾一平 李晋闽 林兰英 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究材料科学中心 |
| 摘 要： | 在国内首次用NH3作氮源的GSMBE方法在α－Al2O3衬底上成功地生长出了高质量的GaN单晶外延膜．GaN外延膜的（0002）X射线双晶衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为8’；背景电子浓度最低为2．7×1018cm－3，霍尔迁移率最好为91cm2／（V·s）；室温光致发光谱上只观察到一个强而锐的带边发光峰，谱峰位于363nm处，室温谱峰半高宽最窄为8nm（75meV）． |
| 关 键 词： | 氮化镓 GSMBE 外延生长 |
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