| ZnGa2O4：Cr3+ 近红外长余辉荧光粉制备与光学性能研究 |
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| 引用本文： | 刘海波,罗莉,王银海,黄保裕.ZnGa2O4：Cr3+ 近红外长余辉荧光粉制备与光学性能研究[J].广东工业大学学报,2016,33(1):83-88. |
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| 作者姓名： | 刘海波 罗莉 王银海 黄保裕 |
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| 作者单位： | 广东工业大学 物理与光电工程学院，广东 广州 510006 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（21271048） |
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| 摘 要： | 采用高温固相法制备了ZnGa2O4：Cr3+ 近红外（660-1300 nm）长余辉荧光粉，并系统地研究了样品的荧光、长余辉、光激励发光及热释光性能.样品的余辉激发谱测试结果显示，ZnGa2O4：Cr3+ 长余辉材料的余辉主要源自O2-Ga3+之间的电荷迁移跃迁激发，而非Cr3+离子的本征跃迁激发.光激励发光性能的研究表明，ZnGa2O4：Cr3+ 在紫外光激发的余辉完全衰减后可以被近红外光再次激发出明亮的余辉，这说明ZnGa2O4：Cr3+ 在紫外光信息写入后可以用红外光进行信息读出.根据实验测试结果采用导带电子复合发光模型对样品的发光机理进行了详细的阐述.
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| 关 键 词： | ZnGa2O4：Cr3+ 长余辉 光激励发光 |
| 收稿时间： | 2015-03-13 |
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