分立器件

FGA25N120ANTD：1200VNPT沟道IGBT飞兆半导体公司推出1200VNPT沟道IGBTFGA25N120ANTD，结合了良好的抗雪崩能力和经优化的开关和导通损耗性能权衡，能为电磁加热（1H）应用提高系统可靠性和效率。FGA25N120ANTD为微波炉、1H电饭煲和其它1H炊具而设计，与上一代器件相比，它的工作温度可降低10℃，因而能够延长系统寿命。