| 化学气相沉积钨中氘热脱附特性的定量分析 |
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| 引用本文： | 王雪峰,叶小球,冯春蓉,谌晓洪,杨蕊竹,饶咏初,李强,宋久鹏,吴吉良.化学气相沉积钨中氘热脱附特性的定量分析[J].材料热处理学报,2019,40(11):91-95. |
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| 作者姓名： | 王雪峰 叶小球 冯春蓉 谌晓洪 杨蕊竹 饶咏初 李强 宋久鹏 吴吉良 |
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| 作者单位： | 表面物理与化学重点实验室,四川江油 621908;西华大学,四川成都610039;表面物理与化学重点实验室,四川江油,621908;西华大学,四川成都,610039;厦门虹鹭钨铝工业有限公司,福建厦门,361021 |
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| 基金项目： | 国家磁约束核聚变能发展研究专项 |
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| 摘 要： | 利用不同升温速率的热脱附谱法(TDS)研究了化学气相沉积钨(CVD-W)经70 eV/D、1.3×10~(25) D/m~2的氘离子辐照后,样品中氘的热脱附特性。结果表明:在该实验条件下,CVD-W中氘滞留总量在10~(19) D/m~2量级;氘的脱附温度区间为400～800 K;脱附总量与升温速率呈负相关,且脱附温度区间会随着升温速率提高而向高温区漂移;CVD-W中氘的主要俘获位为位错或晶界,氘的脱附活化能为0.88 eV,缺陷激活能为0.81 eV。
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| 关 键 词： | 化学气相沉积钨(CVD-W) 氘滞留 等离子体辐照 热脱附谱(TDS) |
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