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| 用In_（0．5）Al_（0．5）P作发射区的新型GaAs HBT | |
| 引用本文： | 曲兰欣.用In_（0．5）Al_（0．5）P作发射区的新型GaAs HBT[J].固体电子学研究与进展,1995(2). |
| 作者姓名： | 曲兰欣 |
| 摘 要： | 用Ｉｎ_（０．５）Ａｌ_（０．５）Ｐ作发射区的新型ＧａＡｓＨＢＴ近年来，异质结双极晶体管（ＨＢＴ）在高速电路中的应用已引起广泛重视。据《ＩＥＥＥＥＤＬ》第１５卷１期报道．Ｊ．Ｍ．Ｋｕｏ等用气源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）技术首次生长出了Ｉｎ０．５Ａｌ０．５... |
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