| 反铁电体电子发射性能的研究 |
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| 引用本文： | 蔡雪梅,周应华.反铁电体电子发射性能的研究[J].液晶与显示,2009,24(4). |
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| 作者姓名： | 蔡雪梅 周应华 |
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| 作者单位： | 1. 重庆邮电大学,光电学院,四川,重庆,400065
2. 重庆邮电大学,计算机学院,四川,重庆,400065 |
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| 摘 要： | 进行了锆钛酸铅反铁电体和铁电体的电子发射对比实验,研究了抽取电压、电极绝缘保护层和相变特性等对反铁电体电子发射性能的影响.通过涂覆绝缘保护层,大幅提高了表面击穿阈值,从而提高了施加场强;通过施加抽取电压,提高了发射电流密度.两种方式均使电流发射密度得到提高,最高达到153 A/cm2.利用相变理论,得到反铁电体相变时的强扩散和表面的半导性使局部或表面相变温度下降, 相变温度的下降有助于电子发射,合理解释了观察到的反铁电体中发射电流密度比铁电体更高和电子发射起始阈值更低的现象.
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| 关 键 词： | 反铁电体阴极 抽取电压 绝缘保护 相变 发射起始阈值 |
Electron Emission Properties of Antiferroelectrics |
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| CAI Xue-mei,ZHOU Ying-hua.Electron Emission Properties of Antiferroelectrics[J].Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,2009,24(4). |
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| Authors: | CAI Xue-mei ZHOU Ying-hua |
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