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| MOSFET模拟程序MINIMOS | |
| 引用本文： | 阮刚.MOSFET模拟程序MINIMOS[J].电子技术,1986(1). |
| 作者姓名： | 阮刚 |
| 作者单位： | 复旦大学 |
| 摘 要： | 为了对 VLSI 中常规的或改进的 MOSFET 进行性能分析、设计或器件物理研究,MOSFET 的模拟程序(又称模拟器或分析器)是关键性的辅助工具。迄今在公开发表的这类程序中,比较知名的有日本日立公司开发的 CADDET,奥地利维也纳工业大学开发的MINIMOS 及美国斯坦福大学开发的 GEMINI。就性能和实用两方面来看,其中 MINIMOS 最受用户欢迎。我们已先后将 MINIMOS 移植在美国伊里诺大学固态电子学实验室的 Cyber175机上(1984年4月)及我国复旦大学微电子学研究所 VAX-11/750机上(1985年6月)成功地运行。本文对该程序作一简介。一、概述MINIMOS 是一种平面 MOSFET 静态特性二维模拟程序,它有以下特点,(1)用了近代较成熟的编程方法,因而计算机费时较少。例如在 CDC Cyber 74 |
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