关于中子辐射的单粒子翻转效应测试与加固研究

针对高能粒子入射半导体材料引发的辐射效应，从实验平台的设计对地面辐射试验进行了研究，通过对单粒子翻转效应的分析，制定评估方式，实验平台通过建立数据采集系统、数据分析系统，测试4种SRAM型的FPGA芯片在不同强度的中子辐照产生的影响，通过辐照试验?验证了试验方法、试验系统的有效性和可靠性。实验结果表明，在高强度的辐照下，单粒子翻转效应显著增多，需要采取防护措施及时修正，对FPGA芯片的使用及选型具有参考价值。