Si基埋置型GaAs芯片封装技术及其热分析

传统贴置型芯片封装集成度低、散热效果差，为提高GaAs芯片的封装集成度与散热效果，基于MEMS异质集成技术提出一种毫米波硅埋置型三维封装模型结构,借助 COMSOL软件开展热学仿真优化，得到芯片温度与封装基板厚度、底座厚度、涂覆银浆厚度、硅通孔(TSV)距离芯片中心位置及个数的变化规律，获得芯片埋置的热学最优化工艺参数，最终确定的模型集成度高、体积小、散热效果好，封装体积仅为20ｍｍ×10ｍｍ×1ｍｍ，可以实现三维堆叠，芯片工作温度要比传统贴片封装模型降低13.64℃，符合芯片正常工作的温度需求。