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| μc-Si∶Hp-i-n薄膜太阳能电池中i层的设计分析 | |
| 引用本文： | 林鸿生.μc-Si∶Hp-i-n薄膜太阳能电池中i层的设计分析[J].电子器件,1997(4). |
| 作者姓名： | 林鸿生 |
| 作者单位： | 中国科学技术大学物理系 |
| 摘 要： | 通过应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对热平衡μｃ－Ｓｉ∶Ｈｐ－ｉ－ｎ薄膜太阳能电池进行计算机数值模拟。结果表明，光吸收体ｉ层中Ｎ型或Ｐ型掺杂都会在ｉ层中造成低场区而不利于光生载流子传输，指出μｃ－Ｓｉ∶Ｈｐ－ｉ－ｎ太阳能电池制造中采用补偿μｃ－Ｓｉ∶Ｈ薄膜充当吸收体ｉ层能提高长波（＞８００ｎｍ）载流子收集效率，从而增大电池的短路电流 |
| 关 键 词： | μc－Si∶Hp－i－n薄膜太阳能电池，载流子收集效率，Newton－Raphson解法 |
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