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| n-β-FeSi2/p-Si异质结太阳电池的计算机模拟 | |
| 引用本文： | 许文英,陈凤翔,王嘉赋.n-β-FeSi2/p-Si异质结太阳电池的计算机模拟[J].武汉理工大学学报,2013(9):21-24,35. |
| 作者姓名： | 许文英 陈凤翔 王嘉赋 |
| 作者单位： | 武汉理工大学理学院 |
| 基金项目： | 中央高校基本科研业务费专项资金(2013-Ia-004,2012-Ia-031) |
| 摘 要： | 主要以AFORS-HET软件来模拟n-β-FeSi2/c-Si(p)/μc-Si(p+)太阳电池的性能,讨论了发射区和μc-Si背场的特性对异质结太阳电池转换效率的影响。模拟结果发现:发射层的厚度增加会显著减低电池的短路电流密度,从而影响电池的转换效率;发射层的掺杂浓度也是影响异质结太阳电池光伏性能的一个重要参数;界面态对电池的影响是不容忽视的,为获得高效率的太阳电池,需尽可能将界面态缺陷密度控制在1010 cm-2/eV以下;微晶硅背场可有效提高太阳电池的转换效率,但要求背场掺杂至少要达到1019 cm-3以上。 |
| 关 键 词： | β-FeSi2 AFORS-HET模拟 界面态密度 背场 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |