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| 用分子束外延法生长的In_(0.53)Ga_(0.47)As亚微米FET | |
| 作者姓名： | Y.G.Chai 赵旭霞 |
| 摘 要： | 本文描述了使用 Be 离子注入和湿化学腐蚀法制作 lnGaAs 亚微米栅JFET 的工艺过程。用这种工艺可以形成小至0.5μm 的栅长。在分子束外延(MBE)生长的材料上制作的这种 FET 的直流跨导高达85mS/mm,并且其功率使用容量大。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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