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| ~(31)P~+注入N-Hg_(1-x)Cd_xTe | |
| 引用本文： | 陈泉森,张月琴,林和.~(31)P~+注入N-Hg_(1-x)Cd_xTe[J].红外与毫米波学报,1986,5(5). |
| 作者姓名： | 陈泉森 张月琴 林和 |
| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所 (陈泉森，张月琴)，中国科学院上海技术物理研究所(林和) |
| 摘 要： | 离子注入Hg_(1-x)Cd_xTe是制备光伏红外探测器的关键工艺。国外已采用该工艺制备出高性能的HgCdTe多元列阵和焦平面器件。但其掺杂机制及退火机制尚不清楚,一般认为所有的元素离子注入P-HgCdTe均形成辐照损伤导致的N~+电学层,~(31)81P~+注入N-HgCdTe则形成P型层,是掺杂行为。本文着重报道我所近几年来用~(31)P~+注入N- |
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